Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHF9540S Nej SIHF9540STRL-GE3
- RS-varenummer:
- 815-2651
- Producentens varenummer:
- SIHF9540STRL-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 169,65
(ekskl. moms)
Kr. 212,06
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 30. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 16,965 | Kr. 169,65 |
| 50 - 90 | Kr. 15,962 | Kr. 159,62 |
| 100 - 240 | Kr. 14,436 | Kr. 144,36 |
| 250 - 490 | Kr. 13,569 | Kr. 135,69 |
| 500 + | Kr. 12,731 | Kr. 127,31 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 815-2651
- Producentens varenummer:
- SIHF9540STRL-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | SiHF9540S | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 200mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 61nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie SiHF9540S | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 200mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 61nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.83mm | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 100 V til 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 13 A 100 V Forbedring TO-263, SiHF9540S Nej
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-263, E Nej SIHB15N80AE-GE3
- Vishay Type P-Kanal 4 A 200 V Forbedring TO-263, SiHF9630S Nej SIHF9630STRL-GE3
- Vishay Type P-Kanal 2 A 200 V Forbedring TO-263, SiHF9620S Nej SIHF9620S-GE3
- Vishay Type P-Kanal 150 A 80 V Forbedring TO-263, TrenchFET Nej SUM60061EL-GE3
- Vishay Type P-Kanal 4.7 A 60 V Forbedring TO-263, SiHF9Z14S Nej SIHF9Z14S-GE3
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-263, E Nej
- Infineon Type P-Kanal 13 A 150 V Forbedring TO-263, AUIRF AEC-Q101