Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 6.1 A 50 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IRF9Z20
- RS-varenummer:
- 815-2682
- Producentens varenummer:
- IRF9Z20PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 88,49
(ekskl. moms)
Kr. 110,61
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 170 enhed(er) afsendes fra 14. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 8,849 | Kr. 88,49 |
| 50 - 90 | Kr. 7,974 | Kr. 79,74 |
| 100 - 240 | Kr. 7,54 | Kr. 75,40 |
| 250 - 490 | Kr. 6,642 | Kr. 66,42 |
| 500 + | Kr. 5,76 | Kr. 57,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 815-2682
- Producentens varenummer:
- IRF9Z20PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 50V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IRF9Z20 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 280mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 40W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -6.3V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 15.49mm | |
| Bredde | 4.65mm | |
| Længde | 10.51mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 50V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IRF9Z20 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 280mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 40W | ||
Gennemgangsspænding Vf -6.3V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 15.49mm | ||
Bredde 4.65mm | ||
Længde 10.51mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 6.1 A 50 V Forbedring TO-220, IRF9Z20
- Vishay Type P-Kanal 1.8 A 200 V Forbedring TO-220, IRF
- onsemi Type P-Kanal 30 A 60 V Forbedring TO-220, QFET
- Infineon Type P-Kanal 12 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Vishay Type P-Kanal 6 A 60 V Forbedring TO-220, IRFI
- Vishay Type P-Kanal 1.9 A 200 V Forbedring TO-220, IRFI
- Vishay Type P-Kanal 6.5 A 200 V Forbedring TO-220, IRF9630