Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 253,10

(ekskl. moms)

Kr. 316,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 50 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
  • Plus 200 enhed(er) afsendes fra 20. april 2026
  • Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 16. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 5,062Kr. 253,10
100 - 200Kr. 4,136Kr. 206,80
250 - 450Kr. 4,027Kr. 201,35
500 - 950Kr. 3,924Kr. 196,20
1000 +Kr. 3,825Kr. 191,25

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-4886
Producentens varenummer:
IRF9540NPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

23A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

117mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

97nC

Effektafsættelse maks. Pd

140W

Gennemgangsspænding Vf

-1.6V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

8.77mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.54mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 23A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 140W maksimal effektafledning - IRF9540NPBF


Denne P-kanal-MOSFET er beregnet til højtydende anvendelser i elektronik- og automationssektoren. Den understøtter en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 23 A og en drain-source-spænding på 100 V, hvilket forbedrer kredsløbets effektivitet. Konfigurationen med forbedringstilstand giver mulighed for nøjagtig styring af outputtet, hvilket gør den velegnet til forskellige industrier, herunder elektriske og mekaniske applikationer.

Egenskaber og fordele


• Håndterer op til 23A kontinuerlig afløbsstrøm for robust ydeevne

• Maksimal drain-source-spænding på 100V for konsekvent drift

• Lav maksimal drain-source-modstand på 117 mΩ optimerer energieffektiviteten

• Kan aflede strøm på op til 140 W til intensive anvendelser

• Typisk gate-ladning på 97 nC ved 10 V understøtter hurtig omskiftning

Anvendelsesområder


• Anvendes i strømstyringskredsløb til effektiv energiomdannelse

• Bruges i motorstyringssystemer til præcis hastighedsregulering

• Integreret i strømforsyningskredsløb for at forbedre driftssikkerheden

• Anvendes i forskellige automatiseringssystemer til effektive kontrolfunktioner

Hvad er temperaturområdet for optimal ydeevne?


Driftstemperaturområdet spænder fra -55 °C til +175 °C, hvilket giver mulighed for effektiv brug under forskellige miljøforhold.

Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen driften?


Gate-tærskelspændingen varierer mellem 2V og 4V, hvilket sikrer pålidelig aktivering og jævn drift som reaktion på styresignaler.

Hvilken type montering er nødvendig for installationen?


Denne MOSFET er designet til gennemgående montering, hvilket gør det lettere at integrere den i forskellige elektroniske enheder.

Kan denne MOSFET bruges i højfrekvente applikationer?


Ja, den er velegnet til højfrekvente switching-applikationer på grund af dens lave gate-ladning og hurtige switching-kapacitet.

Hvad er betydningen af den lave drain-source-modstand?


En lav drain-source modstand på 117 mΩ forbedrer den samlede energieffektivitet ved at minimere energitab under drift.

Relaterede links