Nexperia Type P-Kanal, MOSFET, 200 mA 30 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, NX3008PBKW AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 816-0582
- Producentens varenummer:
- NX3008PBKW,115
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 150 enheder)*
Kr. 87,45
(ekskl. moms)
Kr. 109,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 450 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 17. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 150 - 150 | Kr. 0,583 | Kr. 87,45 |
| 300 - 600 | Kr. 0,554 | Kr. 83,10 |
| 750 - 1350 | Kr. 0,527 | Kr. 79,05 |
| 1500 - 2850 | Kr. 0,416 | Kr. 62,40 |
| 3000 + | Kr. 0,334 | Kr. 50,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 816-0582
- Producentens varenummer:
- NX3008PBKW,115
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 200mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | NX3008PBKW | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 830mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.55nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Længde | 2.2mm | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 200mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie NX3008PBKW | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 830mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.55nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Længde 2.2mm | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
P-kanal MOSFET, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia Type P-Kanal 200 mA 30 V Forbedring SC-70, NX3008PBKW AEC-Q101
- Nexperia Type P-Kanal 150 mA 50 V Forbedring SC-70115
- Nexperia Type P-Kanal 150 mA 50 V Forbedring SC-70, BSS84AKW AEC-Q101
- Nexperia Type P-Kanal 1 A 20 V Forbedring SC-70115
- Nexperia Type N-Kanal 320 mA 60 V Forbedring SC-70115
- Nexperia Type N-Kanal 320 mA 60 V Forbedring SC-70115
- Nexperia Type N-Kanal 350 mA 30 V Forbedring SC-70115
- Nexperia Type N-Kanal 310 mA 60 V Forbedring SC-70115
