MPN

DiodesZetex 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 520 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SOT-963 AEC-Q101

RS-varenummer:: 823-2911
Producentens varenummer:: DMC2990UDJ-7
Brand:: DiodesZetex

DiodesZetex 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 520 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SOT-963 AEC-Q101

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 79,95

(ekskl. moms)

Kr. 99,95

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 13. maj 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
50 +	Kr. 1,599	Kr. 79,95

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 823-2911
Producentens varenummer:: DMC2990UDJ-7
Brand:: DiodesZetex

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	DiodesZetex
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	Type P, Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	520mA
	Drain source spænding maks. Vds	20V
	Emballagetype	SOT-963
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	6
	Drain source modstand maks. Rds	5Ω
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	-8V, +8V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	0.5nC
	Gennemgangsspænding Vf	600mV
	Effektafsættelse maks. Pd	350mW
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Transistorkonfiguration	Isoleret
	Bredde	850μm
	Standarder/godkendelser	J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101
	Højde	450μm
	Længde	1.05mm
	Antal elementer per chip	2
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand DiodesZetex
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype Type P, Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 520mA
	Drain source spænding maks. Vds 20V
	Emballagetype SOT-963
	Monteringstype Overflade
	Benantal 6
	Drain source modstand maks. Rds 5Ω
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. -8V, +8V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.5nC
	Gennemgangsspænding Vf 600mV
	Effektafsættelse maks. Pd 350mW
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Transistorkonfiguration Isoleret
	Bredde 850μm
	Standarder/godkendelser J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101
	Højde 450μm
	Længde 1.05mm
	Antal elementer per chip 2
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET transistorer, Diodes Inc.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.