DiodesZetex 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 520 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SOT-963 AEC-Q101 DMC2990UDJ-7
- RS-varenummer:
- 823-2911
- Producentens varenummer:
- DMC2990UDJ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 79,95
(ekskl. moms)
Kr. 99,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 1,599 | Kr. 79,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 823-2911
- Producentens varenummer:
- DMC2990UDJ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 520mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-963 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.5nC | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 350mW | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.6V | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Højde | 0.45mm | |
| Længde | 1.05mm | |
| Bredde | 0.85 mm | |
| Standarder/godkendelser | J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 520mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-963 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.5nC | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 350mW | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.6V | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Højde 0.45mm | ||
Længde 1.05mm | ||
Bredde 0.85 mm | ||
Standarder/godkendelser J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type P Effekt MOSFET 6 Ben, SOT-963 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N Effekt MOSFET 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N Effekt MOSFET 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N Effekt MOSFET 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Isoleret 4.8 A 60 V Forbedring SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Isoleret 5.8 A 30 V Forbedring SOP AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Isoleret 4.8 A 60 V Forbedring SOIC AEC-Q101 ZXMP6A18DN8TA
- DiodesZetex 2 Type N Effekt MOSFET 6 Ben, TSOT AEC-Q101 DMG6602SVT-7
