ROHM N-Kanal, MOSFET-transistor, 22 A 1200 V, 3 ben, TO-247 SCT2160KEC
- RS-varenummer:
- 826-6908
- Producentens varenummer:
- SCT2160KEC
- Brand:
- ROHM
På lager for afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres Pr. stk.)
Kr. 97,21
(ekskl. moms)
Kr. 121,51
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. |
| 1 - 4 | Kr. 97,21 |
| 5 - 6 | Kr. 90,17 |
| 7 - 14 | Kr. 81,91 |
| 15 - 29 | Kr. 75,17 |
| 30 + | Kr. 71,30 |
- RS-varenummer:
- 826-6908
- Producentens varenummer:
- SCT2160KEC
- Brand:
- ROHM
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
N-kanal SiC MOSFET-transistorer, ROHM
Siliciumkarbid (SiC) MOSFET'er har lavere tab ved skift og fremragende højtemperaturs driftskarakteristika end de modsvarende silicium og er særdeles velegnede til højeffektive højfrekvente switching-opgaver.
MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 22 A |
| Drain source spænding maks. | 1200 V |
| Kapslingstype | TO-247 |
| Monteringstype | Hulmontering |
| Benantal | 3 |
| Drain source modstand maks. | 226 mΩ |
| Kanalform | Enhancement |
| Maks. tærskelspænding for port | 4V |
| Effektafsættelse maks. | 165 W |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Længde | 15.9mm |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 62 nC ved 18 V |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Transistormateriale | SiC |
| Bredde | 20.95mm |
| Højde | 5.03mm |
- RS-varenummer:
- 826-6908
- Producentens varenummer:
- SCT2160KEC
- Brand:
- ROHM