Infineon 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 6.5 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- RS-varenummer:
- 826-8879
- Producentens varenummer:
- IRF7319TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 127,32
(ekskl. moms)
Kr. 159,16
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 120 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.620 enhed(er) afsendes fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 6,366 | Kr. 127,32 |
| 100 - 180 | Kr. 4,90 | Kr. 98,00 |
| 200 - 480 | Kr. 4,582 | Kr. 91,64 |
| 500 - 980 | Kr. 4,268 | Kr. 85,36 |
| 1000 + | Kr. 3,946 | Kr. 78,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 826-8879
- Producentens varenummer:
- IRF7319TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 98mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.78V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.5mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 98mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.78V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.5mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Dobbelt N/P-kanal Power MOSFET, Infineon
Infineons dual power MOSFET'er integrerer to HEXFET® enheder for at give en pladsbesparende og lønsom koblingsløsning med høj komponenttæthed til konstruktioner, hvor kortets størrelse er afgørende. Et udvalg af kapslinger er tilgængelige og udviklere kan vælge dual N/P-kanal-konfigurationen.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon 2 Type P MOSFET 8 Ben HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -3.6 A -30 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 5.4 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 10.5 A 40 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 16 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 20 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 15 A 30 V Forbedring SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Type P MOSFET 8 Ben HEXFET