Infineon 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 6.5 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 151,48

(ekskl. moms)

Kr. 189,36

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 3.040 enhed(er) afsendes fra 30. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 7,574Kr. 151,48
100 - 180Kr. 5,827Kr. 116,54
200 - 480Kr. 5,449Kr. 108,98
500 - 980Kr. 5,083Kr. 101,66
1000 +Kr. 4,698Kr. 93,96

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
826-8879
Producentens varenummer:
IRF7319TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P, Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.5A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

98mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-0.78V

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

22nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4 mm

Længde

5mm

Højde

1.5mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Dobbelt N/P-kanal Power MOSFET, Infineon


Infineons dual power MOSFET'er integrerer to HEXFET® enheder for at give en pladsbesparende og lønsom koblingsløsning med høj komponenttæthed til konstruktioner, hvor kortets størrelse er afgørende. Et udvalg af kapslinger er tilgængelige og udviklere kan vælge dual N/P-kanal-konfigurationen.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links