Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, TK Nej TK100A06N1,S4X(S
- RS-varenummer:
- 827-6097
- Producentens varenummer:
- TK100A06N1,S4X(S
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 4 enheder)*
Kr. 90,512
(ekskl. moms)
Kr. 113,14
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 28 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 748 enhed(er) afsendes fra 11. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | Kr. 22,628 | Kr. 90,51 |
| 20 - 76 | Kr. 18,888 | Kr. 75,55 |
| 80 - 196 | Kr. 16,513 | Kr. 66,05 |
| 200 - 396 | Kr. 15,69 | Kr. 62,76 |
| 400 + | Kr. 15,298 | Kr. 61,19 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 827-6097
- Producentens varenummer:
- TK100A06N1,S4X(S
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | TK | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 140nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 45W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.5 mm | |
| Længde | 10mm | |
| Højde | 15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie TK | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 140nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 45W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.5 mm | ||
Længde 10mm | ||
Højde 15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba N-Kanal 263 A 60 V TO-220SISS4X(S
- Toshiba N-Kanal 100 A 60 V TO-220SISS4X(S
- Toshiba N-Kanal 60 A 60 V TO-220SISS4X(S
- Toshiba N-Kanal 30 A 60 V TO-220SISS4X(S
- Toshiba N-Kanal 60 A 120 V TO-220SISS4X(S
- Toshiba N-Kanal 58 A 60 V TO-220SISS4X(S
- Toshiba N-Kanal 43 A 60 V TO-220SISS4X(S
- Toshiba N-Kanal 52 A 100 V TO-220SISS4X(S
