Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-3P, TK
- RS-varenummer:
- 827-6163
- Producentens varenummer:
- TK20J60W,S1VQ(O
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 130,08
(ekskl. moms)
Kr. 162,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 254 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 65,04 | Kr. 130,08 |
| 20 - 38 | Kr. 49,295 | Kr. 98,59 |
| 40 - 72 | Kr. 46,45 | Kr. 92,90 |
| 74 - 148 | Kr. 45,29 | Kr. 90,58 |
| 150 + | Kr. 44,055 | Kr. 88,11 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 827-6163
- Producentens varenummer:
- TK20J60W,S1VQ(O
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-3P | |
| Serie | TK | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 155mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.7V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 165W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 48nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 20mm | |
| Længde | 15.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-3P | ||
Serie TK | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 155mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.7V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 165W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 48nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 20mm | ||
Længde 15.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET, N-kanal, TK2x serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba Type N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-3P, TK
- Toshiba Type N-Kanal 11.5 A 600 V Forbedring TO-3PN, TK
- Toshiba Type N-Kanal 15.8 A 600 V Forbedring TO-3P, DTMOSIV
- Toshiba Type N-Kanal 39 A 600 V Forbedring TO-3PN, DTMOSIV
- Toshiba Type N-Kanal 31 A 600 V Forbedring TO-3PN, DTMOSIV
- Toshiba Type N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-247, TK
- Toshiba Type N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-220, TK
- Toshiba Type N-Kanal 31 A 600 V Forbedring TO-220, TK