STMicroelectronics Enkelt Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 40 V Forbedring, 10 Ben, PowerSO, LdmoST
- RS-varenummer:
- 829-0627
- Producentens varenummer:
- PD55015-E
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 enhed)*
Kr. 124,17
(ekskl. moms)
Kr. 155,21
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 948 enhed(er) afsendes fra 18. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 124,17 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 829-0627
- Producentens varenummer:
- PD55015-E
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Udgangseffekt | 15W | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerSO | |
| Serie | LdmoST | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 10 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | 65°C | |
| Driftstemperatur maks. | 165°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Højde | 3.6mm | |
| Længde | 9.6mm | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC Approved | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Effektforstærkning typisk | 14dB | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Udgangseffekt 15W | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerSO | ||
Serie LdmoST | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 10 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur 65°C | ||
Driftstemperatur maks. 165°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Højde 3.6mm | ||
Længde 9.6mm | ||
Standarder/godkendelser JEDEC Approved | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Effektforstærkning typisk 14dB | ||
RF MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
LDMOS radiofrekvenstransistorer er velegnet til L-bånds satellit uplinks og DMOS effekttransistorer til anvendelser, der spænder fra 1 MHz til 2 GHz.