STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 21 A 650 V, 3 ben, TO-247, FDmesh STW26NM60ND
- RS-varenummer:
- 829-1497P
- Producentens varenummer:
- STW26NM60ND
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 20 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 383,90
(ekskl. moms)
Kr. 479,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 38 | Kr. 19,195 |
| 40 + | Kr. 17,025 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 829-1497P
- Producentens varenummer:
- STW26NM60ND
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 21 A | |
| Drain source spænding maks. | 650 V | |
| Kapslingstype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 175 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 5V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 3V | |
| Effektafsættelse maks. | 190 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -25 V, +25 V | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Transistormateriale | Si | |
| Længde | 15.75mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 54,6 nC ved 10 V | |
| Bredde | 5.15mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Serie | FDmesh | |
| Højde | 20.15mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 21 A | ||
Drain source spænding maks. 650 V | ||
Kapslingstype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 175 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 5V | ||
Mindste tærskelspænding for port 3V | ||
Effektafsættelse maks. 190 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -25 V, +25 V | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Transistormateriale Si | ||
Længde 15.75mm | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 54,6 nC ved 10 V | ||
Bredde 5.15mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Serie FDmesh | ||
Højde 20.15mm | ||
N-kanal FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics