Microchip N-Kanal, MOSFET, 175 mA 300 V Depletion, 3 ben, TO-92 DN2530N3-G

Supertex serien af N-kanals DMOS FET transistorer med depletion-modus fra Microchip er velegnet til anvendelser, der kræver høj gennemslagsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtigt skiftende hastigheder.

Høj indgangsimpedans
Lav indgangskapacitet
Hurtig omkoblingshastighed
Lav modstand ved tændt
Fri for sekundære nedbrud
Lav indgangs- og udgangslækstrøm

Omskiftere, der normalt er tændt
Solid state relæer
Konvertere
Lineære forstærkere
Konstantstrømskilder
Strømforsyningskredsløb
Telekommunikation

Microchip DN2530 N-kanal-nedbrydningstilstand (normalt aktiveret) transistor anvender en Advanced vertikal DMOS-struktur og gennemprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne af bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der er karakteristisk for alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud. Vertikal DMOS FET'er ideelt egnet til en bred vifte af switching- og forstærkningsopgaver, hvor høj gennemslagsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtigt skiftende hastigheder er ønsket. Den har en dræn-til-kilde- og dræn-til-gate-spænding på 300 V og statisk dræn-til-kilde on-state modstand på 25Ω.

Høj indgangsimpedans
Lav indgangskapacitet
Hurtig omkoblingshastighed
Lav modstand ved tændt
Fri for sekundære nedbrud
Lav indgangs- og udgangslækstrøm
Blyfri (Pb)
3-leder TIL -92 hus

MOSFET-transistorer, Microchip