onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 16 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, UniFET Nej FDD18N20LZ

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 106,66

(ekskl. moms)

Kr. 133,32

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.250 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 10,666Kr. 106,66
100 - 240Kr. 9,193Kr. 91,93
250 +Kr. 7,974Kr. 79,74

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
864-8057
Producentens varenummer:
FDD18N20LZ
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

16A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Serie

UniFET

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

130mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Effektafsættelse maks. Pd

89W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

6.22 mm

Højde

2.39mm

Længde

6.73mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

UniFET™ N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


UniFET™ MOSFET er Fairchild Semiconductors højspændings MOSFET-serie. Den har den mindste modstand i ledetilstand blandt planare MOSFET'er og har også fremragende skifteevne og højere avalanche-energistyrke. Desuden muliggør indvendig gate-source ESD-diode, at UniFET-II™ MOSFET kan modstå over 2000 V HBM stødstrømbelastning.

UniFET™ MOSFET er velegnet til skiftestrømkonvertere som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC), fladskærm (FPD) TV effekt, ATX (Advanced Technology eXtended) og elektroniske lampeforkoblinger.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links