onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 16 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, UniFET Nej FDD18N20LZ
- RS-varenummer:
- 864-8057
- Producentens varenummer:
- FDD18N20LZ
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 106,66
(ekskl. moms)
Kr. 133,32
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.250 enhed(er) afsendes fra 06. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 10,666 | Kr. 106,66 |
| 100 - 240 | Kr. 9,193 | Kr. 91,93 |
| 250 + | Kr. 7,974 | Kr. 79,74 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 864-8057
- Producentens varenummer:
- FDD18N20LZ
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | UniFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 130mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 30nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 89W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie UniFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 130mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 30nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 89W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
UniFET™ N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET er Fairchild Semiconductors højspændings MOSFET-serie. Den har den mindste modstand i ledetilstand blandt planare MOSFET'er og har også fremragende skifteevne og højere avalanche-energistyrke. Desuden muliggør indvendig gate-source ESD-diode, at UniFET-II™ MOSFET kan modstå over 2000 V HBM stødstrømbelastning.
UniFET™ MOSFET er velegnet til skiftestrømkonvertere som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC), fladskærm (FPD) TV effekt, ATX (Advanced Technology eXtended) og elektroniske lampeforkoblinger.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 16 A 200 V Forbedring TO-252, UniFET Nej
- onsemi Type N-Kanal 6.2 A 250 V Forbedring TO-252, UniFET Nej
- onsemi Type N-Kanal 6.2 A 250 V Forbedring TO-252, UniFET Nej FDD7N25LZTM
- onsemi Type N-Kanal 52 A 200 V Forbedring TO-263, UniFET Nej
- onsemi Type N-Kanal 39 A 200 V Forbedring TO-220, UniFET Nej
- onsemi Type N-Kanal 61 A 200 V Forbedring TO-220, UniFET Nej
- onsemi Type N-Kanal 52 A 200 V Forbedring TO-263, UniFET Nej FDB52N20TM
- onsemi Type N-Kanal 61 A 200 V Forbedring TO-220, UniFET Nej FDP61N20