onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 800 mA 150 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 864-8512
- Producentens varenummer:
- FDN86265P
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (25 enheder, i en pakke med 25)*
Kr. 161,20
(ekskl. moms)
Kr. 201,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 25 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 25 enhed(er) afsendes fra 08. oktober 2026
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 20. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | Kr. 6,448 | Kr. 161,20 |
| 100 - 225 | Kr. 5,559 | Kr. 138,98 |
| 250 + | Kr. 4,817 | Kr. 120,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 864-8512
- Producentens varenummer:
- FDN86265P
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 800mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.2Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.9nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -25V, +25V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.4mm | |
| Længde | 2.92mm | |
| Højde | 0.94mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 800mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie PowerTrench | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.2Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.9nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -25V, +25V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.4mm | ||
Længde 2.92mm | ||
Højde 0.94mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
PowerTrench® P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.
De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i tidligere generationer.
Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.