onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 4 A 30 V Forbedring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench Nej FDC658AP

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 27,38

(ekskl. moms)

Kr. 34,225

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 15 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
  • Plus 65 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
  • Plus 655 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 5,476Kr. 27,38
50 - 95Kr. 4,728Kr. 23,64
100 - 495Kr. 4,10Kr. 20,50
500 - 995Kr. 3,59Kr. 17,95
1000 +Kr. 3,262Kr. 16,31

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
739-0186
Producentens varenummer:
FDC658AP
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOT-23

Serie

PowerTrench

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

75mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6nC

Gennemgangsspænding Vf

-0.77V

Effektafsættelse maks. Pd

1.6W

Portkildespænding maks.

25 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.7 mm

Længde

3mm

Højde

1mm

Bilindustristandarder

Nej

PowerTrench® P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.

De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i tidligere generationer.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links