- RS-varenummer:
- 892-2217
- Producentens varenummer:
- BSS84PH6327XTSA2
- Brand:
- Infineon
250 På lager for afsendelse samme dag
2750 enheder til afsendelse inden for 1 arbejdsdag(e) (UK lager)
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 250)
Kr. 0,224
(ekskl. moms)
Kr. 0,28
(inkl. moms)
Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
250 + | Kr. 0,224 | Kr. 56,00 |
- RS-varenummer:
- 892-2217
- Producentens varenummer:
- BSS84PH6327XTSA2
- Brand:
- Infineon
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Infineon SIPMOS® P-kanal MOSFET'er
Infineon SIPMOS® småsignal P-kanal MOSFET'er har flere funktioner, som kan omfatte forbedringstilstand, kontinuerlig aftapning-strøm nogle så lave som -80 A plus et bredt driftstemperaturområde. SIPMOS effekttransistor har mange anvendelser, herunder indenfor telekommunikation, eMobility, bærbare computere, DC/DC-enheder samt i bilindustrien.
· AEC Q101 Kvalificeret (se datablad)
· blyfri blybelægning, i overensstemmelse med RoHS
· blyfri blybelægning, i overensstemmelse med RoHS
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Egenskaber
Attribute | Value |
---|---|
Kanaltype | P |
Drain-strøm kontinuerlig maks. | 170 mA |
Drain source spænding maks. | 60 V |
Kapslingstype | SOT-23 |
Serie | SIPMOS |
Monteringstype | Overflademontering |
Benantal | 3 |
Drain source modstand maks. | 12 Ω |
Kanalform | Enhancement |
Maks. tærskelspænding for port | 2V |
Mindste tærskelspænding for port | 1V |
Effektafsættelse maks. | 360 mW |
Transistorkonfiguration | Enkelt |
Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V |
Bredde | 1.3mm |
Driftstemperatur maks. | +150 °C |
Antal elementer per chip | 1 |
Gate-ladning ved Vgs typisk | 1 nC ved 10 V |
Transistormateriale | Si |
Længde | 2.9mm |
Gennemgangsspænding for diode | 1.24V |
Højde | 0.9mm |
Driftstemperatur min. | -55 °C |
- RS-varenummer:
- 892-2217
- Producentens varenummer:
- BSS84PH6327XTSA2
- Brand:
- Infineon