Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, DTMOSIV Nej TK39A60W,S4VX(M
- RS-varenummer:
- 896-2366
- Producentens varenummer:
- TK39A60W,S4VX(M
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 34,11
(ekskl. moms)
Kr. 42,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 59 enhed(er) klar til afsendelse
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 34,11 |
| 5 - 9 | Kr. 24,98 |
| 10 - 24 | Kr. 24,38 |
| 25 - 49 | Kr. 23,64 |
| 50 + | Kr. 23,19 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 896-2366
- Producentens varenummer:
- TK39A60W,S4VX(M
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 39A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 65mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.7V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 110nC | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10mm | |
| Højde | 15mm | |
| Bredde | 4.5 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 39A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie DTMOSIV | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 65mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.7V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 110nC | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10mm | ||
Højde 15mm | ||
Bredde 4.5 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
MOSFET, N-kanal, TK3x serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba Type N-Kanal 9.7 A 600 V Forbedring TO-220S4VX(M
- Toshiba Type N-Kanal 31 A 600 V Forbedring TO-220S4VX(M
- Toshiba Type N-Kanal 15.8 A 600 V Forbedring TO-220S4VX(M
- Toshiba Type N-Kanal 15.8 A 600 V Forbedring TO-220S4VX(M
- Toshiba Type N-Kanal 39 A 600 V Forbedring TO-3PNS1VQ(O
- Toshiba Type N-Kanal 25 A 600 V Forbedring TO-220S5X(M
- Toshiba Type N-Kanal 30.8 A 600 V Forbedring TO-220S1X(S
- Toshiba Type N-Kanal 15.8 A 600 V Forbedring TO-220S1VX(S