Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 30.8 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, DTMOSIV Nej TK31E60X,S1X(S
- RS-varenummer:
- 125-0563
- Producentens varenummer:
- TK31E60X,S1X(S
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 54,90
(ekskl. moms)
Kr. 68,62
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 4 enhed(er) klar til afsendelse
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 27,45 | Kr. 54,90 |
| 10 - 18 | Kr. 20,12 | Kr. 40,24 |
| 20 - 48 | Kr. 19,60 | Kr. 39,20 |
| 50 - 98 | Kr. 19,00 | Kr. 38,00 |
| 100 + | Kr. 18,665 | Kr. 37,33 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 125-0563
- Producentens varenummer:
- TK31E60X,S1X(S
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 88mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 65nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.7V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 230W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 15.1mm | |
| Længde | 10.16mm | |
| Bredde | 4.45 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie DTMOSIV | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 88mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 65nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.7V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 230W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 15.1mm | ||
Længde 10.16mm | ||
Bredde 4.45 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET, N-kanal, TK3x serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba Type N-Kanal 9.7 A 600 V Forbedring TO-220S4VX(M
- Toshiba Type N-Kanal 25 A 600 V Forbedring TO-220S5X(M
- Toshiba Type N-Kanal 39 A 600 V Forbedring TO-220S4VX(M
- Toshiba Type N-Kanal 31 A 600 V Forbedring TO-220S4VX(M
- Toshiba Type N-Kanal 15.8 A 600 V Forbedring TO-220S1VX(S
- Toshiba Type N-Kanal 30.8 A 600 V Forbedring DFN Nej
- Toshiba Type N-Kanal 30.8 A 600 V Forbedring DFN Nej TK31V60W5
- Toshiba Type N-Kanal 60 A 120 V Forbedring TO-220S1X(S
