Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 30.8 A 600 V Forbedring, 5 Ben, DFN

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 96,27

(ekskl. moms)

Kr. 120,338

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 15. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 48,135Kr. 96,27
10 - 98Kr. 43,27Kr. 86,54
100 - 498Kr. 39,42Kr. 78,84
500 - 998Kr. 36,09Kr. 72,18
1000 +Kr. 33,25Kr. 66,50

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
171-2526
Producentens varenummer:
TK31V60W5
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30.8A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

DFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

5

Drain source modstand maks. Rds

109mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-1.7V

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

240W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

105nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.85mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

8mm

Bredde

8 mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN
Skiftespændingsregulatorer

Hurtig ompolariseringstid ved genopretning: trr = 135 ns (typ.)

Lav drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0,087 Ω (typ.)

Gate-omskiftning, der er let at styre

Optimeret tilstand: Vth = 3 til 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,5 mA)

Relaterede links