Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 30.8 A 600 V Forbedring, 5 Ben, DFN

Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
171-2526
Producentens varenummer:
TK31V60W5
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30.8A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

DFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

5

Drain source modstand maks. Rds

109mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-1.7V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

105nC

Effektafsættelse maks. Pd

240W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

8mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.85mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Ikke relevant

COO (Country of Origin):
CN
Skiftespændingsregulatorer

Hurtig ompolariseringstid ved genopretning: trr = 135 ns (typ.)

Lav drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0,087 Ω (typ.)

Gate-omskiftning, der er let at styre

Optimeret tilstand: Vth = 3 til 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,5 mA)

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.