Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 30.8 A 600 V Forbedring, 5 Ben, DFN

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 74.222,50

(ekskl. moms)

Kr. 92.777,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 15. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 - 2500Kr. 29,689Kr. 74.222,50
5000 +Kr. 28,027Kr. 70.067,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
171-2421
Producentens varenummer:
TK31V60W5
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30.8A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

DFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

5

Drain source modstand maks. Rds

109mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

105nC

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

240W

Gennemgangsspænding Vf

-1.7V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

8mm

Bredde

8 mm

Højde

0.85mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN
Skiftespændingsregulatorer

Hurtig ompolariseringstid ved genopretning: trr = 135 ns (typ.)

Lav drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0,087 Ω (typ.)

Gate-omskiftning, der er let at styre

Optimeret tilstand: Vth = 3 til 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,5 mA)

Relaterede links