Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 5 Ben, DFN, TK099V65Z
- RS-varenummer:
- 206-9729
- Producentens varenummer:
- TK099V65Z,LQ(S
- Brand:
- Toshiba
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 81.980,00
(ekskl. moms)
Kr. 102.475,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 32,792 | Kr. 81.980,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-9729
- Producentens varenummer:
- TK099V65Z,LQ(S
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Serie | TK099V65Z | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 90mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 47nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 230W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.7V | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 8 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 8mm | |
| Højde | 0.5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype DFN | ||
Serie TK099V65Z | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 90mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 47nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 230W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.7V | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 8 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 8mm | ||
Højde 0.5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Toshiba silikone N-kanal MOSFET har højhastigheds switching-egenskaber med lavere kapacitet. Den bruges primært i switch-mode strømforsyninger.
Lav drænkilde på modstand 0,08?
Opbevaringstemperatur -55 til 150 °C.
Relaterede links
- Toshiba Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring DFNLQ(S
- Toshiba 1 Type N-Kanal Enkelt 8 Ben U-MOSVIII-H TPN11003NL,LQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 30.8 A 600 V Forbedring DFN Nej
- Toshiba Type N-Kanal 32 A 30 V Forbedring SOPLQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 22 A 80 V Forbedring TSONLQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 40 A 60 V Forbedring SOPLQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 38 A 30 V Forbedring SOPLQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 30.8 A 600 V Forbedring DFN Nej TK31V60W5
