Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 5 Ben, DFN, TK099V65Z

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 82,28

(ekskl. moms)

Kr. 102,84

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 960 enhed(er) afsendes fra 21. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 +Kr. 41,14Kr. 82,28

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
206-9730
Producentens varenummer:
TK099V65Z,LQ(S
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

DFN

Serie

TK099V65Z

Monteringstype

Overflade

Benantal

5

Drain source modstand maks. Rds

90mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

47nC

Gennemgangsspænding Vf

-1.7V

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

230W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

8mm

Højde

0.5mm

Bredde

8 mm

Bilindustristandarder

Nej

Toshiba silikone N-kanal MOSFET har højhastigheds switching-egenskaber med lavere kapacitet. Den bruges primært i switch-mode strømforsyninger.

Lav drænkilde på modstand 0,08?

Opbevaringstemperatur -55 til 150 °C.

Relaterede links