Texas Instruments N-Kanal, MOSFET, 272 A 100 V, 3 ben, D2PAK (TO-263), NexFET CSD19536KTTT
- RS-varenummer:
- 900-9857
- Producentens varenummer:
- CSD19536KTTT
- Brand:
- Texas Instruments
536 På lager til afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres Pr. stk.)
Kr. 47,80
(ekskl. moms)
Kr. 59,75
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. |
| 1 - 4 | Kr. 47,80 |
| 5 - 9 | Kr. 46,82 |
| 10 - 14 | Kr. 45,33 |
| 15 - 24 | Kr. 45,03 |
| 25 + | Kr. 43,53 |
- RS-varenummer:
- 900-9857
- Producentens varenummer:
- CSD19536KTTT
- Brand:
- Texas Instruments
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
N-kanal NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-transistorer, Texas Instruments
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 272 A |
| Drain source spænding maks. | 100 V |
| Serie | NexFET |
| Kapslingstype | D2PAK (TO-263) |
| Monteringstype | Overflademontering |
| Benantal | 3 |
| Drain source modstand maks. | 2,8 mΩ |
| Kanalform | Enhancement |
| Effektafsættelse maks. | 375 W |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Længde | 10.67mm |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C |
| Transistormateriale | Si |
| Bredde | 9.65mm |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 118 nC ved 0 V |
| Driftstemperatur min. | -55 °C |
| Gennemgangsspænding for diode | 1.1V |
| Højde | 4.83mm |
- RS-varenummer:
- 900-9857
- Producentens varenummer:
- CSD19536KTTT
- Brand:
- Texas Instruments