Infineon N-Kanal, MOSFET, 20.7 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (30 enheder, i en tube med 30)*

Kr. 635,49

(ekskl. moms)

Kr. 794,37

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 180 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 - 30Kr. 21,183Kr. 635,49
60 - 120Kr. 20,124Kr. 603,72
150 +Kr. 19,278Kr. 578,34

*Vejledende pris

RS-varenummer:
911-4830
Producentens varenummer:
SPW20N60C3FKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20.7A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-247

Serie

CoolMOS C3

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

190mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

87nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

208W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

20.95mm

Længde

15.9mm

Bredde

5.3mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Infineon CoolMOS™ C3 Series MOSFET, 21A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 208W maksimal effektafledning - SPW20N60C3FKSA1


Denne MOSFET er afgørende for mange elektroniske applikationer og er konstrueret til at forbedre effektiviteten på tværs af forskellige opgaver. Den fungerer godt i miljøer med høj effekt og bruges i automations-, el- og mekanikbranchen. Med holdbare specifikationer sikrer den stabil ydelse, mens den håndterer store strømbelastninger og optimerer energiforbruget.

Egenskaber og fordele


• N-kanal-konfiguration forbedrer ledningsevnen

• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 21A understøtter intensive anvendelser

• Høj spænding på 650V giver pålidelighed under udfordrende forhold

• Lav gate-ladning muliggør effektiv switching og reducerer energitab

• Fremragende termisk ydeevne muliggør drift ved høje temperaturer

• Designet til montering gennem huller, hvilket forenkler monteringsprocedurerne

Anvendelsesområder


• Regulering og styring af strømforsyningen i industrielle systemer

• Motorstyringssystemer til effektiv strømforsyning

• Anvendes i DC-DC-konvertere til højspænding

• Integreret i vedvarende energisystemer for effektiv energiomdannelse

• Anvendes i effektelektronik for at forbedre enhedens ydeevne

Hvad er den maksimale driftstemperatur for denne komponent?


Den fungerer effektivt ved en maksimal temperatur på +150 °C og er velegnet til miljøer med høje temperaturer uden at gå på kompromis med ydeevnen.

Hvordan gavner den lave gate-ladning enhedens funktion?


En lav gate-ladning muliggør hurtigere skiftehastigheder, hvilket reducerer skiftetab betydeligt og forbedrer den samlede effektivitet under drift.

Kan denne MOSFET klare gentagne cyklusser med høj temperatur?


Ja, den er designet til at bevare sine elektriske egenskaber over mange termiske cyklusser, hvilket sikrer lang levetid i miljøer med varierende temperaturer.

Er der en bestemt monteringsstil, der anbefales til denne enhed?


Denne enhed er beregnet til montering gennem huller, hvilket gør det lettere at samle printkort og giver stabile mekaniske forbindelser.

Hvilke sikkerhedsforanstaltninger skal man tage under installationen?


Sørg for, at gate-source-spændingen ikke overskrider de specificerede grænser (-20V til +20V) for at undgå skader på enheden, og følg standard ESD-forholdsregler for at undgå statiske skader.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.