Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- RS-varenummer:
- 911-4943
- Producentens varenummer:
- SPW17N80C3FKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 500,34
(ekskl. moms)
Kr. 625,44
(inkl. moms)
Tilføj 30 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 120 enhed(er) afsendes fra 18. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | Kr. 16,678 | Kr. 500,34 |
| 60 - 120 | Kr. 16,242 | Kr. 487,26 |
| 150 - 270 | Kr. 15,823 | Kr. 474,69 |
| 300 + | Kr. 15,426 | Kr. 462,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 911-4943
- Producentens varenummer:
- SPW17N80C3FKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 290mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 88nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 227W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 21.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.21 mm | |
| Længde | 16.13mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 290mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 88nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 227W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 21.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.21 mm | ||
Længde 16.13mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 17 A 800 V Forbedring TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Type N-Kanal 11 A 800 V Forbedring TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Type N-Kanal 17 A 800 V Forbedring TO-220, CoolMOS C3
- Infineon Type N-Kanal 32 A 560 V Forbedring TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Type N-Kanal 47 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Type N-Kanal 16 A 560 V Forbedring TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Type N-Kanal 34 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Type N-Kanal 20.7 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS C3 AEC-Q101
