Infineon N-Kanal, MOSFET, 53 A 650 V, 3 ben, TO-247, CoolMOS™ C6 IPW60R070C6FKSA1
- RS-varenummer:
- 911-5025
- Producentens varenummer:
- IPW60R070C6FKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 1.243,56
(ekskl. moms)
Kr. 1.554,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Udgår
- Sidste 330 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | Kr. 41,452 | Kr. 1.243,56 |
| 60 + | Kr. 37,305 | Kr. 1.119,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 911-5025
- Producentens varenummer:
- IPW60R070C6FKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 53 A | |
| Drain source spænding maks. | 650 V | |
| Serie | CoolMOS™ C6 | |
| Kapslingstype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 70 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 3.5V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 2.5V | |
| Effektafsættelse maks. | 391 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Længde | 16.13mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 170 nC ved 10 V | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Transistormateriale | Si | |
| Bredde | 5.21mm | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Højde | 21.1mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 53 A | ||
Drain source spænding maks. 650 V | ||
Serie CoolMOS™ C6 | ||
Kapslingstype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 70 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 3.5V | ||
Mindste tærskelspænding for port 2.5V | ||
Effektafsættelse maks. 391 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V | ||
Længde 16.13mm | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 170 nC ved 10 V | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Transistormateriale Si | ||
Bredde 5.21mm | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Højde 21.1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 24 A 650 V TO-247, CoolMOS™ C6 IPW60R160C6FKSA1
- Infineon N-Kanal 38 A 650 V TO-247, CoolMOS™ C6 IPW60R099C6FKSA1
- Infineon N-Kanal 77 3 ben CoolMOS™ C6 IPW60R041C6FKSA1
- Infineon N-Kanal 20 3 ben CoolMOS™ C6 IPW60R190C6FKSA1
- Infineon N-Kanal 20 A 650 V TO-247, CoolMOS™ C6 IPW60R190C6FKSA1
- Infineon N-Kanal 77 A 650 V TO-247, CoolMOS™ C6 IPW60R041C6FKSA1
- Infineon N-Kanal 83 A 700 V TO-247, CoolMOS™ C6 IPW65R037C6FKSA1
- Infineon N-Kanal 37 3 ben CoolMOS™ C6 IPP60R099C6XKSA1
