Infineon N-Kanal, MOSFET, 7,3 A 650 V, 3 ben, IPAK (TO-251), CoolMOS™ C3 SPU07N60C3BKMA1
- RS-varenummer:
- 168-8581
- Producentens varenummer:
- SPU07N60C3BKMA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 168-8581
- Producentens varenummer:
- SPU07N60C3BKMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 7,3 A | |
| Drain source spænding maks. | 650 V | |
| Kapslingstype | IPAK (TO-251) | |
| Serie | CoolMOS™ C3 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 600 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 2.9V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 2.1V | |
| Effektafsættelse maks. | 83 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bredde | 2.41mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 21 nC ved 10 V | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Transistormateriale | Si | |
| Gennemgangsspænding for diode | 1.2V | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Højde | 6.22mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 7,3 A | ||
Drain source spænding maks. 650 V | ||
Kapslingstype IPAK (TO-251) | ||
Serie CoolMOS™ C3 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 600 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 2.9V | ||
Mindste tærskelspænding for port 2.1V | ||
Effektafsættelse maks. 83 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -30 V, +30 V | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bredde 2.41mm | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 21 nC ved 10 V | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Længde 6.73mm | ||
Transistormateriale Si | ||
Gennemgangsspænding for diode 1.2V | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Højde 6.22mm | ||
RoHS Status: Ikke relevant
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 7 3 ben CoolMOS™ CE IPS65R1K0CEAKMA2
- Infineon N-Kanal 7 3 ben CoolMOS™ C3 SPA07N60C3XKSA1
- Infineon N-Kanal 6 3 ben CoolMOS™ IPS60R1K0CEAKMA1
- Infineon N-Kanal 4 A 700 V IPAK (TO-251), CoolMOS™ IPSA70R1K4P7SAKMA1
- Infineon N-Kanal 6 A 700 V IPAK (TO-251), CoolMOS™ IPSA70R900P7SAKMA1
- Infineon N-Kanal 1 3 ben CoolMOS™ IPU80R4K5P7AKMA1
- Infineon N-Kanal 10 A 700 V IPAK (TO-251), CoolMOS™ IPSA70R450P7SAKMA1
- Infineon N-Kanal 8 3 ben CoolMOS™ IPSA70R600P7SAKMA1
