Infineon N-Kanal, MOSFET, 7,3 A 650 V, 3 ben, IPAK (TO-251), CoolMOS™ C3 SPU07N60C3BKMA1

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
168-8581
Producentens varenummer:
SPU07N60C3BKMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

7,3 A

Drain source spænding maks.

650 V

Kapslingstype

IPAK (TO-251)

Serie

CoolMOS™ C3

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

600 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

2.9V

Mindste tærskelspænding for port

2.1V

Effektafsættelse maks.

83 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-30 V, +30 V

Antal elementer per chip

1

Bredde

2.41mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

21 nC ved 10 V

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Længde

6.73mm

Transistormateriale

Si

Gennemgangsspænding for diode

1.2V

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

6.22mm

RoHS Status: Ikke relevant

COO (Country of Origin):
CN

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET



MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links