Infineon N-Kanal, MOSFET, 31 A 55 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET AUIRFZ44N
- RS-varenummer:
- 912-8646
- Producentens varenummer:
- AUIRFZ44N
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 283,50
(ekskl. moms)
Kr. 354,50
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 5,67 | Kr. 283,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 912-8646
- Producentens varenummer:
- AUIRFZ44N
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 31 A | |
| Drain source spænding maks. | 55 V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapslingstype | TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 24 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 4V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 2V | |
| Effektafsættelse maks. | 45 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Længde | 10.66mm | |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 65 nC ved 10 V | |
| Bredde | 4.82mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Transistormateriale | Si | |
| Højde | 16.51mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 31 A | ||
Drain source spænding maks. 55 V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapslingstype TO-220AB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 24 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 4V | ||
Mindste tærskelspænding for port 2V | ||
Effektafsættelse maks. 45 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V | ||
Længde 10.66mm | ||
Driftstemperatur maks. +175 °C | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 65 nC ved 10 V | ||
Bredde 4.82mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Transistormateriale Si | ||
Højde 16.51mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 31 A 55 V TO-220AB, HEXFET AUIRFZ44N
- Infineon N-Kanal 89 A 55 V TO-220AB, HEXFET AUIRL3705N
- Infineon N-Kanal 61 A 55 V TO-220AB, HEXFET AUIRFZ48Z
- Infineon Type N-Kanal 18 A 55 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 53 A 55 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 51 A 55 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET AEC-Q101