Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*

Kr. 14.920,00

(ekskl. moms)

Kr. 18.640,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
4000 +Kr. 3,73Kr. 14.920,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
913-4773
Producentens varenummer:
IRF9310TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

6.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

110nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4 mm

Længde

5mm

Højde

1.5mm

Bilindustristandarder

Nej

P-kanal MOSFET 30V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter P-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links