onsemi 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 4.5 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 45,36

(ekskl. moms)

Kr. 56,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
Manglende forsyning
  • 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 6.170 enhed(er) afsendes fra 04. marts 2026
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 4,536Kr. 45,36
100 - 240Kr. 3,915Kr. 39,15
250 - 490Kr. 3,388Kr. 33,88
500 - 990Kr. 2,98Kr. 29,80
1000 +Kr. 2,717Kr. 27,17

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
917-5471
Producentens varenummer:
FDS4559
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P, Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.5A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

PowerTrench

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

55mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

12.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

1.5mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Bredde

4 mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

PowerTrench® Dual N/P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.

De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i den tidligere generation.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links