IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Q3-Class
- RS-varenummer:
- 920-0965
- Producentens varenummer:
- IXFH30N50Q3
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 2.031,81
(ekskl. moms)
Kr. 2.539,77
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 67,727 | Kr. 2.031,81 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 920-0965
- Producentens varenummer:
- IXFH30N50Q3
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 200mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 62nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 690W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 16.26mm | |
| Højde | 16.26mm | |
| Bredde | 5.3 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 200mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 62nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 690W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 16.26mm | ||
Højde 16.26mm | ||
Bredde 5.3 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- US
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 serien
IXYS Q3-klassen af HiperFET™ effekt-MOSFET'er er velegnet til både hårde tilkoblings- og resonans-mode-anvendelser og giver lave portopladning med uovertruffen holdbarhed. Enhederne har en fast, egensikker diode og findes i en række branchestandardpakker, inklusive isolerede typer, med effekter på op til 1100 V og 70 A. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, batteriopladere, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, temperatur- og lysstyring.
Hurtig, egensikker ensretterdiode
Lav RDS (til) og QG (portopladning)
Lav egensikker portmodstand
Huse i industristandard
Lav pakkeselvinduktion
Høj effekttæthed
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 30 A 500 V Forbedring TO-247
- IXYS Type N-Kanal 44 A 500 V Forbedring TO-247
- IXYS Type N-Kanal 36 A 500 V Forbedring TO-247
- IXYS Type N-Kanal 34 A 500 V Forbedring TO-247
- IXYS Type N-Kanal 60 A 500 V Forbedring TO-247
- IXYS Type N-Kanal 26 A 500 V Forbedring TO-247
- IXYS Type N-Kanal 16 A 500 V Forbedring TO-247
- IXYS Type N-Kanal 16 A 500 V Forbedring TO-247, Polar