STMicroelectronics 2 N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 4 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, STripFET
- RS-varenummer:
- 920-6557
- Producentens varenummer:
- STS4DNF60L
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2500 enheder, på en rulle med 2500)*
Kr. 15.350,00
(ekskl. moms)
Kr. 19.200,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 10.000 enhed(er) afsendes fra 01. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | Kr. 6,14 | Kr. 15.350,00 |
| 5000 + | Kr. 5,722 | Kr. 14.305,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 920-6557
- Producentens varenummer:
- STS4DNF60L
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | STripFET | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 55mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Portkildespænding maks. | -15V, +15V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Bredde | 4mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.25mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie STripFET | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 55mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Portkildespænding maks. -15V, +15V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Bredde 4mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.25mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal STripFET™ dobbelt MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .