STMicroelectronics 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 4 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, STripFET Nej

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 14.272,50

(ekskl. moms)

Kr. 17.840,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 10.000 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 5,709Kr. 14.272,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
920-6557
Producentens varenummer:
STS4DNF60L
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

STripFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

55mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

150°C

Portkildespænding maks.

15 V

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

15nC

Driftstemperatur maks.

-55°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Højde

1.25mm

Bredde

4 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal STripFET™ dobbelt MOSFET, STMicroelectronics


STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterede links