STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 5.4 A 400 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 920-6585
- Producentens varenummer:
- STD7NK40ZT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 10.367,50
(ekskl. moms)
Kr. 12.960,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 17. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | Kr. 4,147 | Kr. 10.367,50 |
| 5000 + | Kr. 3,765 | Kr. 9.412,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 920-6585
- Producentens varenummer:
- STD7NK40ZT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 400V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 70W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.4mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 400V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 70W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.4mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V til 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.4 A 400 V Forbedring TO-252 SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.3 A 500 V Forbedring TO-252 SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 1 A 600 V Forbedring TO-252 SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 A 900 V Forbedring TO-252 SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.2 A 1 kV Forbedring TO-252 SuperMESH AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 9 A 400 V Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 400 mA 600 V Forbedring SOT-223 SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 400 V Forbedring TO-220 SuperMESH