STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 2.2 A 1 kV Forbedring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 165-8050
- Producentens varenummer:
- STD4NK100Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 23.937,50
(ekskl. moms)
Kr. 29.922,50
(inkl. moms)
Tilføj 2500 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 9,575 | Kr. 23.937,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-8050
- Producentens varenummer:
- STD4NK100Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1kV | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 90W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18nC | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.4mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Bredde | 6.2 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1kV | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 90W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.4mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Bredde 6.2 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V til 1.200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.2 A 1 kV Forbedring TO-252 AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 40 V Forbedring TO-252 AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-252 AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-252, STripFET AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 35 V Forbedring TO-252, STD AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring TO-252, STD AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-252, STripFET F3 AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 1.6 A 1 kV Forbedring TO-252, QFET