STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 2.2 A 1 kV Forbedring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101 STD4NK100Z
- RS-varenummer:
- 906-2776
- Producentens varenummer:
- STD4NK100Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 103,67
(ekskl. moms)
Kr. 129,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.215 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 20,734 | Kr. 103,67 |
| 10 + | Kr. 19,688 | Kr. 98,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 906-2776
- Producentens varenummer:
- STD4NK100Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1kV | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 90W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.6mm | |
| Bredde | 6.2 mm | |
| Højde | 2.4mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1kV | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 90W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.6mm | ||
Bredde 6.2 mm | ||
Højde 2.4mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V til 1.200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 2 3 ben MDmesh, SuperMESH STD4NK100Z
- STMicroelectronics N-Kanal 3 A 500 V DPAK (TO-252) SuperMESH STD4NK50ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 1 A 600 V DPAK (TO-252) SuperMESH STD1NK60T4
- STMicroelectronics N-Kanal 2 3 ben MDmesh, SuperMESH STD3NK50ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 3 A 900 V DPAK (TO-252) SuperMESH STD3NK90ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 600 V DPAK (TO-252) SuperMESH STD4NK60ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 5 3 ben MDmesh, SuperMESH STD7NK40ZT4
- STMicroelectronics N-Kanal 2 3 ben MDmesh, SuperMESH STD3NK60ZT4
