STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 1 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 920-8727
- Producentens varenummer:
- STD1NK60T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 6.507,50
(ekskl. moms)
Kr. 8.135,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 12.500 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 2,603 | Kr. 6.507,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 920-8727
- Producentens varenummer:
- STD1NK60T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 30W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.2 mm | |
| Højde | 2.4mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 30W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.2 mm | ||
Højde 2.4mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V til 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 1 A 600 V Forbedring TO-252
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-252
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-252
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-252
- STMicroelectronics Type N-Kanal 8 A 600 V Forbedring TO-252, STD11N60M6
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 A 600 V Forbedring TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.4 A 600 V Forbedring TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3.5 A 600 V Forbedring TO-252, STD5N