CY14V101Q3-SFXI, NVRAM, 1Mbit, Overflademontering, 16 Ben, SOIC
- RS-varenummer:
- 194-9094
- Producentens varenummer:
- CY14V101Q3-SFXI
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 113,76
(ekskl. moms)
Kr. 142,20
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 113,76 |
| 5 - 9 | Kr. 88,76 |
| 10 + | Kr. 85,17 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 194-9094
- Producentens varenummer:
- CY14V101Q3-SFXI
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Memory-størrelse | 1Mbit | |
| Organisation | 128 K x 8 bit | |
| Interface-type | SPI | |
| Databusbredde | 8bit | |
| Random access-tid maks. | 25ns | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Kapslingstype | SOIC | |
| Benantal | 16 | |
| Dimensioner | 10.49 x 7.59 x 2.36mm | |
| Længde | 10.49mm | |
| Bredde | 7.59mm | |
| Højde | 2.36mm | |
| Driftsforsyningsspænding maks. | 3,6 V | |
| Driftstemperatur maks. | +85 °C | |
| Driftsforsyningsspænding min. | 3 V | |
| Driftstemperatur min. | -40 °C | |
| Antal Bits per ord | 8bit | |
| Antal ord | 128K | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Memory-størrelse 1Mbit | ||
Organisation 128 K x 8 bit | ||
Interface-type SPI | ||
Databusbredde 8bit | ||
Random access-tid maks. 25ns | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Kapslingstype SOIC | ||
Benantal 16 | ||
Dimensioner 10.49 x 7.59 x 2.36mm | ||
Længde 10.49mm | ||
Bredde 7.59mm | ||
Højde 2.36mm | ||
Driftsforsyningsspænding maks. 3,6 V | ||
Driftstemperatur maks. +85 °C | ||
Driftsforsyningsspænding min. 3 V | ||
Driftstemperatur min. -40 °C | ||
Antal Bits per ord 8bit | ||
Antal ord 128K | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The Cypress CY14V101Q3 combines a 1 Mbit nvSRAM with a nonvolatile element in each memory cell with serial SPI interface. The memory is organized as 128 K words of 8 bits each. The embedded nonvolatile elements incorporate the QuantumTrap technology, creating reliable nonvolatile memory. The SRAM provides infinite read and write cycles, while the QuantumTrap cell provides highly reliable nonvolatile storage of data. Data transfers from SRAM to the nonvolatile elements (STORE operation) takes place automatically at power-down. On power-up, data is restored to the SRAM from the nonvolatile memory (RECALL operation). Both STORE and RECALL operations can also be initiated by the user through SPI Instruction.
