Infineon N-Kanal, MOSFET, 111 A 650 V, 3 ben, TO-247, CoolMOS IPW60R018CFD7XKSA1
- RS-varenummer:
- 222-4719
- Producentens varenummer:
- IPW60R018CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Varen er desværre i restordre, forventet afsendelsesdato 25-04-2025
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres Pr. stk.)
Kr. 136,51
(ekskl. moms)
Kr. 170,64
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. |
| 1 - 4 | Kr. 136,51 |
| 5 - 9 | Kr. 129,63 |
| 10 - 24 | Kr. 124,17 |
| 25 - 49 | Kr. 118,78 |
| 50 + | Kr. 110,55 |
- RS-varenummer:
- 222-4719
- Producentens varenummer:
- IPW60R018CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Infineon designet af Cool MOS er en revolutionerende teknologi til højspændings MOSFET'er, designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og udviklet af Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 serien kombinerer oplevelsen fra den førende SJ MOSFET leverandør med førsteklasses innovation. 600V C7 er den første teknologi nogensinde med RDS(on) * A under 1 Ohm * mm².
Blyfri forgyldning
I overensstemmelse med RoHS
Fremragende termisk modstand 100 % lavalanche-testet
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-23
Fremragende termisk modstand 100 % lavalanche-testet
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-23
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kanaltype | N |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 111 A |
| Drain source spænding maks. | 650 V |
| Kapslingstype | TO-247 |
| Serie | CoolMOS |
| Monteringstype | Hulmontering |
| Benantal | 3 |
| Drain source modstand maks. | 0,018 Ω |
| Kanalform | Enhancement |
| Maks. tærskelspænding for port | 4.5V |
| Antal elementer per chip | 1 |
| Transistormateriale | Silicium |
- RS-varenummer:
- 222-4719
- Producentens varenummer:
- IPW60R018CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon