Renesas Electronics SRAM, 16Mbit, TSOP 52
- RS-varenummer:
- 126-7312
- Producentens varenummer:
- RMLV1616AGSD-5S2#AC0
- Brand:
- Renesas Electronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om denne vare kommer på lager igen – den er ved at blive udfaset af producenten
- RS-varenummer:
- 126-7312
- Producentens varenummer:
- RMLV1616AGSD-5S2#AC0
- Brand:
- Renesas Electronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Renesas Electronics | |
| Memory-størrelse | 16Mbit | |
| Organisation | 1 M ord x 16 bit, 2 M ord x 8 bit | |
| Antal ord | 1M, 2M | |
| Antal Bits per ord | 8 bit, 16 bit | |
| Random access-tid maks. | 55ns | |
| Adressebusbredde | 19 bit, 20 bit | |
| Lav effekt | Ja | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Kapslingstype | TSOP | |
| Benantal | 52 | |
| Dimensioner | 10.89 x 8.99 x 1mm | |
| Driftsforsyningsspænding maks. | 3,6 V | |
| Højde | 1mm | |
| Driftsforsyningsspænding min. | 2,7 V | |
| Driftstemperatur min. | -40 °C | |
| Bredde | 8.99mm | |
| Længde | 10.89mm | |
| Driftstemperatur maks. | +85 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Renesas Electronics | ||
Memory-størrelse 16Mbit | ||
Organisation 1 M ord x 16 bit, 2 M ord x 8 bit | ||
Antal ord 1M, 2M | ||
Antal Bits per ord 8 bit, 16 bit | ||
Random access-tid maks. 55ns | ||
Adressebusbredde 19 bit, 20 bit | ||
Lav effekt Ja | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Kapslingstype TSOP | ||
Benantal 52 | ||
Dimensioner 10.89 x 8.99 x 1mm | ||
Driftsforsyningsspænding maks. 3,6 V | ||
Højde 1mm | ||
Driftsforsyningsspænding min. 2,7 V | ||
Driftstemperatur min. -40 °C | ||
Bredde 8.99mm | ||
Længde 10.89mm | ||
Driftstemperatur maks. +85 °C | ||
Laveffekt SRAM, RMLV serien, Renesas Electronics
RMLV serien af højtydende avanceret statisk RAM har virkeliggjort større tæthed, lavt strømforbrug og har lavt standby-effekttab.
Enkelt 2,7 V til 3,6 V strømforsyning
Tilgangstid: 45 ns (maks.)
Lige adgangs- og cyklustider
Fælles dataindgang og udgang med tre tilstande
Alle indgange og udgange er TTL-kompatible
Velegnet til drift med batteribackup
Tilgangstid: 45 ns (maks.)
Lige adgangs- og cyklustider
Fælles dataindgang og udgang med tre tilstande
Alle indgange og udgange er TTL-kompatible
Velegnet til drift med batteribackup
SRAM (Static Random Access Memory)