Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Memory-størrelse	4Mbit
	Organisation	256 k x 16 bit
	Antal ord	256k
	Antal Bits per ord	16bit
	Random access-tid maks.	45ns
	Adressebusbredde	16bit
	Clock-frekvens	1MHz
	Lav effekt	Ja
	Timing-type	Asynkron
	Monteringstype	Overflademontering
	Kapslingstype	TSOP II
	Benantal	44
	Dimensioner	18.517 x 10.262 x 1.044mm
	Højde	1.04mm
	Driftsforsyningsspænding maks.	3,6 V
	Driftsforsyningsspænding min.	2,2 V
	Driftstemperatur min.	-40 °C
	Driftstemperatur maks.	+85 °C
	Længde	18.52mm
	Bredde	10.26mm

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Memory-størrelse 4Mbit
	Organisation 256 k x 16 bit
	Antal ord 256k
	Antal Bits per ord 16bit
	Random access-tid maks. 45ns
	Adressebusbredde 16bit
	Clock-frekvens 1MHz
	Lav effekt Ja
	Timing-type Asynkron
	Monteringstype Overflademontering
	Kapslingstype TSOP II
	Benantal 44
	Dimensioner 18.517 x 10.262 x 1.044mm
	Højde 1.04mm
	Driftsforsyningsspænding maks. 3,6 V
	Driftsforsyningsspænding min. 2,2 V
	Driftstemperatur min. -40 °C
	Driftstemperatur maks. +85 °C
	Længde 18.52mm
	Bredde 10.26mm

Datasheet CY621472E30LL-45ZSXI

COO (Country of Origin):: PH

Meget høj hastighed: 45 ns
Temperaturområde
Industriel: -40 °C til +85 °C.
Bredt spændingsområde: 2,20 V til 3,60 V.
Ultralav standby-effekt
Typisk standby-strøm: 1 A.
Maksimal standbystrøm: 7 A (industriel)
Ultralav aktiv effekt
Typisk aktiv strøm: 2 mA ved f = 1 MHz
Nem hukommelsesudvidelse med CE1-, CE2- og OE-Funktioner
Automatisk nedstrøm ved fravalg
Komplementær metaloxid-halvleder (CMOS) for optimal hastighed og effekt
Fås i blyfri 44-benet tynd pakke med lille kontur (TSOP) II-hus
Funktion til nedrulning af byte

Infineon SRAM -hukommelseschip, 4Mbit, TSOP II 44

Relaterede links