Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Memory-størrelse	4Mbit
	Organisation	512 k x 8 bit
	Antal ord	512k
	Antal Bits per ord	8bit
	Random access-tid maks.	10ns
	Adressebusbredde	8bit
	Clock-frekvens	100MHz
	Timing-type	Asynkron
	Monteringstype	Hulmontering
	Kapslingstype	SOJ
	Benantal	36
	Dimensioner	0.92 x 0.395 x 0.103tommer
	Højde	2.62mm
	Driftsforsyningsspænding maks.	3,6 V
	Driftsforsyningsspænding min.	2,2 V
	Driftstemperatur min.	-40 °C
	Bredde	10.03mm
	Driftstemperatur maks.	+85 °C
	Længde	23.37mm

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Memory-størrelse 4Mbit
	Organisation 512 k x 8 bit
	Antal ord 512k
	Antal Bits per ord 8bit
	Random access-tid maks. 10ns
	Adressebusbredde 8bit
	Clock-frekvens 100MHz
	Timing-type Asynkron
	Monteringstype Hulmontering
	Kapslingstype SOJ
	Benantal 36
	Dimensioner 0.92 x 0.395 x 0.103tommer
	Højde 2.62mm
	Driftsforsyningsspænding maks. 3,6 V
	Driftsforsyningsspænding min. 2,2 V
	Driftstemperatur min. -40 °C
	Bredde 10.03mm
	Driftstemperatur maks. +85 °C
	Længde 23.37mm

Datasheet CY7C1049G30-10VXI

CY7C1049G og CY7C1049GE er højtydende CMOS hurtige statiske RAM-enheder med integreret ECC. Begge enheder tilbydes i enkelt- og dobbeltchip-aktiveringsmuligheder og i konfigurationer med flere ben. CY7C1049GE enheden indeholder en ERR-stift, der signalerer en fejl-detektion og korrektion under en læsningscyklus. Dataskrivning udføres ved at gøre input for Chip Enable (CE) og Write Enable (WE) LAVE, mens data for i/O0through i/O7 og adresse på A0 via A18-ben gives. Dataaflæsninger udføres ved at angive input for Chip Enable (CE) og Output Enable (OE) LAVT og angive den ønskede adresse på adresselinjerne. Der er adgang til læste data på i/O-linjerne (i/O0 til i/O7).

Høj hastighed
TAA = 10 ns
Integreret ECC for single-bit fejlkorrektion [1, 2]
Lav aktiv- og standbystrøm
Aktiv strøm: ICC = 38 mA typisk
Standbystrøm: ISB2 = 6 mA typisk
Driftsspændingsområde: 1,65 V til 2,2 V, 2,2 V til 3,6 V og 4,5 V til 5,5 V.
1,0 V dataopbevaring
TTL-kompatible indgange og udgange
Fejlindikationens (ERR) pin indikerer 1-bit fejlregistrering og -korrektion
Blyfri 36-benede SOJ og 44-benede TSOP II huse

Infineon SRAM -hukommelseschip, 4Mbit, SOJ 36

Relaterede links