Infineon SRAM -hukommelseschip, 4Mbit, SOJ 36

CY7C1049G og CY7C1049GE er højtydende CMOS hurtige statiske RAM-enheder med integreret ECC. Begge enheder tilbydes i enkelt- og dobbeltchip-aktiveringsmuligheder og i konfigurationer med flere ben. CY7C1049GE enheden indeholder en ERR-stift, der signalerer en fejl-detektion og korrektion under en læsningscyklus. Dataskrivning udføres ved at gøre input for Chip Enable (CE) og Write Enable (WE) LAVE, mens data for i/O0through i/O7 og adresse på A0 via A18-ben gives. Dataaflæsninger udføres ved at angive input for Chip Enable (CE) og Output Enable (OE) LAVT og angive den ønskede adresse på adresselinjerne. Der er adgang til læste data på i/O-linjerne (i/O0 til i/O7).

Høj hastighed
TAA = 10 ns
Integreret ECC for single-bit fejlkorrektion [1, 2]
Lav aktiv- og standbystrøm
Aktiv strøm: ICC = 38 mA typisk
Standbystrøm: ISB2 = 6 mA typisk
Driftsspændingsområde: 1,65 V til 2,2 V, 2,2 V til 3,6 V og 4,5 V til 5,5 V.
1,0 V dataopbevaring
TTL-kompatible indgange og udgange
Fejlindikationens (ERR) pin indikerer 1-bit fejlregistrering og -korrektion
Blyfri 36-benede SOJ og 44-benede TSOP II huse