Infineon SRAM -hukommelseschip, 1Mbit, SOJ 44

Denne enhed har en automatisk nedstrømningsfunktion, der reducerer strømforbruget betydeligt, når den fravælges. Indgangs- og udgangsbenene (i/O0 til i/O15) er placeret i en høj impedanstilstand, når enheden fravælges (CE HØJ), udgange er deaktiveret (OE HØJ), BHE og BLE er deaktiveret (BHE, BLE HØJ), eller under en skriveoperation (CE LAV og VI LAV). Skriv til enheden ved at tage Chip Enable (CE) og Write Enable (WE) indgange LAV. Hvis BLE (Byte Low Enable) er LAV, skrives data fra i/O-ben (i/O0 til i/O7) på det sted, der er angivet på adressestifterne (A0 til A15). Hvis Byte High Enable (BHE) er LAV, skrives data fra i/O-ben (i/O8 til i/O15) på det sted, der er angivet på adressestifterne (A0 til A15).