Renesas Electronics SRAM, 8 MB, TSOP 44 Ben
- RS-varenummer:
- 250-0192
- Producentens varenummer:
- RMLV0808BGSB-4S2#AA0
- Brand:
- Renesas Electronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 66,26
(ekskl. moms)
Kr. 82,82
(inkl. moms)
Tilføj 8 enheder for at opnå gratis levering
Restlager hos RS
- Sidste 135 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 66,26 |
| 10 - 24 | Kr. 62,38 |
| 25 - 49 | Kr. 59,99 |
| 50 - 74 | Kr. 58,19 |
| 75 + | Kr. 57,07 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 250-0192
- Producentens varenummer:
- RMLV0808BGSB-4S2#AA0
- Brand:
- Renesas Electronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Renesas Electronics | |
| Hukommelsesstørrelse | 8MB | |
| Produkttype | SRAM | |
| Organisation | 1024K x 8 | |
| Antal ord | 1024K | |
| Antal Bits per ord | 8 | |
| Random access-tid maks. | 45ns | |
| Forsyningsspænding min. | 2.4V | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Forsyningsspænding maks. | 3.6V | |
| Emballagetype | TSOP | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 85°C | |
| Benantal | 44 | |
| Serie | RMLV0808B | |
| Længde | 18.41mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 10.16 mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Renesas Electronics | ||
Hukommelsesstørrelse 8MB | ||
Produkttype SRAM | ||
Organisation 1024K x 8 | ||
Antal ord 1024K | ||
Antal Bits per ord 8 | ||
Random access-tid maks. 45ns | ||
Forsyningsspænding min. 2.4V | ||
Monteringstype Overflade | ||
Forsyningsspænding maks. 3.6V | ||
Emballagetype TSOP | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 85°C | ||
Benantal 44 | ||
Serie RMLV0808B | ||
Længde 18.41mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 10.16 mm | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Renesas Electronics 8-Mbit statisk RAM har opnået højere tæthed, højere ydeevne og lavt strømforbrug. Den har lavt strømforbrug i standby-tilstand.
Lige adgangs- og cyklustider
Fælles dataindgang og -udgang
Direkte TTL-kompatibel
Backup-funktion af batteri