Renesas Electronics SRAM hukommelse, 4Mbit

Renesas Electronics asynkron statisk RAM center-pwr og gnd pinout 4.194.304-bit højhastigheds statisk RAM organiseret som 256K x 16. Den er fremstillet med højtydende og meget pålidelig CMOS-teknologi. Denne state-of-the-art teknologi, kombineret med innovative kredsløbsdesignteknikker, giver en omkostningseffektiv løsning til højhastighedshukommelsesbehov. Den har et udgangsaktiveringsben, der fungerer så hurtigt som 5 ns, med adresseadgangstider så hurtigt som 10 ns. Den er pakket i et 44-benet, 400 mil plast SOJ og et 44-benet, 400 mil TSOP type II hus og et 48 kuglegitterarray, 9 mm x 9 mm hus.

256 K x 16 avanceret højhastigheds CMOS statisk RAM JEDEC centerstrøm/GND-benforbindelse for reduceret støj. En chip vælges plus én udgang aktiverer ben 2-vejs dataindgange og udgange direkte LVTTL-kompatible Lavt strømforbrug via chip fravælges Aktiveringsben øverste og nederste byte Enkelt 3,3 V strømforsyning fås i 44-benet, 400 mil plast SOJ hus og et 44-benet, 400 mil TSOP type II hus og et 48 kuglegitterarray, 9 mm x 9 mm hus. Grønne dele er tilgængelige, se bestillingsoplysninger