BAS16-HE3-08, Omskifterdiode, 300mA 75V Siliciumdiode, 3 ben, SOT-23
- RS-varenummer:
- 180-8199
- Producentens varenummer:
- BAS16-HE3-08
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 693,00
(ekskl. moms)
Kr. 867,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Udgår
- Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 0,231 | Kr. 693,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8199
- Producentens varenummer:
- BAS16-HE3-08
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Gennemgangsstrøm maks. | 300mA | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Spænding i spærreretning maks. | 75V | |
| Kapslingstype | SOT-23 | |
| Diode-teknologi | Siliciumdiode | |
| Benantal | 3 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Gennemgangsstrøm maks. 300mA | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Spænding i spærreretning maks. 75V | ||
Kapslingstype SOT-23 | ||
Diode-teknologi Siliciumdiode | ||
Benantal 3 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay-diode til hurtigt skift af små signaler har 3 ben og silikone-diodeteknologi med 300 mA maksimal gennemløbsstrøm.
Silicium epitaksial planar diode
Ultrahurtig koblingshastighed
Overflademonteret hus velegnet til automatisk isætning
Høj ledningsevne
AEC-Q101 kvalificeret
Basis P/N-E3 - RoHS-kompatibel, kommerciel kvalitet
Basis P/N-HE3 - RoHS-kompatibel, AEC-Q101 kvalificeret
Ultrahurtig koblingshastighed
Overflademonteret hus velegnet til automatisk isætning
Høj ledningsevne
AEC-Q101 kvalificeret
Basis P/N-E3 - RoHS-kompatibel, kommerciel kvalitet
Basis P/N-HE3 - RoHS-kompatibel, AEC-Q101 kvalificeret
Relaterede links
- BAS16-HE3-08 300mA 75V Siliciumdiode SOT-23
- BAS16-E3-08 300mA 100V Siliciumdiode SOT-23
- 1N4148WS-HE3-08 350mA 75V Siliciumdiode SOD-323
- 1N4148TR 300mA 75V Siliciumdiode, 2 ben
- 1N4448TR 300mA 75V Siliciumdiode DO-35
- BAS16-7-F 300mA Silicon Junction, SOT-23
- BAS16WS-E3-08 250mA 75V Siliciumdiode SOD-323
- 1N4148WS-G3-08 350mA 75V Siliciumdiode SOD-323
