Vishay, Siliciumdiode Enkelt, 300 mA 75 V, 3 Ben, SOT-23
- RS-varenummer:
- 180-8607
- Producentens varenummer:
- BAS16-HE3-08
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 52,70
(ekskl. moms)
Kr. 65,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Udgår
- 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 3.200 enhed(er) afsendes fra 09. februar 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 - 900 | Kr. 0,527 | Kr. 52,70 |
| 1000 - 2400 | Kr. 0,322 | Kr. 32,20 |
| 2500 - 4900 | Kr. 0,264 | Kr. 26,40 |
| 5000 - 9900 | Kr. 0,238 | Kr. 23,80 |
| 10000 + | Kr. 0,211 | Kr. 21,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8607
- Producentens varenummer:
- BAS16-HE3-08
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Siliciumdiode | |
| Gennemgangsstrøm maks. If | 300mA | |
| Diodemateriale | Enkelt | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Undertype | Siliciumdiode | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Benantal | 3 | |
| Periodisk spidsspænding i spærreretning maks. Vrrm | 75V | |
| Reverse recovery tid spidsværdi trr | 6ns | |
| Ikke-periodisk spids-gennemgangs-stødstrøm Ifsm | 1A | |
| Min. driftstemperatur | -65°C | |
| Spænding i lederetning maks. Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.1mm | |
| Bredde | 2.6 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Siliciumdiode | ||
Gennemgangsstrøm maks. If 300mA | ||
Diodemateriale Enkelt | ||
Monteringstype Overflade | ||
Undertype Siliciumdiode | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Benantal 3 | ||
Periodisk spidsspænding i spærreretning maks. Vrrm 75V | ||
Reverse recovery tid spidsværdi trr 6ns | ||
Ikke-periodisk spids-gennemgangs-stødstrøm Ifsm 1A | ||
Min. driftstemperatur -65°C | ||
Spænding i lederetning maks. Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.1mm | ||
Bredde 2.6 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay-diode til hurtigt skift af små signaler har 3 ben og silikone-diodeteknologi med 300 mA maksimal gennemløbsstrøm.
Silicium epitaksial planar diode
Ultrahurtig koblingshastighed
Overflademonteret hus velegnet til automatisk isætning
Høj ledningsevne
AEC-Q101 kvalificeret
Basis P/N-E3 - RoHS-kompatibel, kommerciel kvalitet
Basis P/N-HE3 - RoHS-kompatibel, AEC-Q101 kvalificeret
Relaterede links
- BAS16-HE3-08 300mA 75V Siliciumdiode SOT-23
- BAS16-E3-08 300mA 100V Siliciumdiode SOT-23
- 1N4148WS-HE3-08 350mA 75V Siliciumdiode SOD-323
- 1N4148TR 300mA 75V Siliciumdiode, 2 ben
- 1N4448TR 300mA 75V Siliciumdiode DO-35
- BAS16-7-F 300mA Silicon Junction, SOT-23
- BAS16WS-E3-08 250mA 75V Siliciumdiode SOD-323
- 1N4148WS-G3-08 350mA 75V Siliciumdiode SOD-323
