FDMB3800N, Dual, Digital transistor, , 8 ben, WDFN

Disse N-kanal MOSFET'er med logikniveau produceres ved hjælp af en Advanced PowerTrench-proces, der er specielt skræddersyet til at minimere modstanden i tilstanden og alligevel opretholde en overlegen skifteevne. Disse enheder er velegnede til anvendelser med lav spænding og batteridrevet strømforsyning, hvor lavt effekttab og hurtig omskiftning er påkrævet.

Maks. RDS (til) = 40 mΩ ved VGS = 10 V, ID = 4,8 A.
Maks. RDS (ON) = 51 mΩ ved VGS = 4,5 V, ID = 4,3A
Hurtig koblingshastighed
Lav gate-Opladning
Højtydende dæmpningsteknologi giver ekstremt lav RDS (til)
Høj effekt- og strømhåndtering.
Anvendelsesområder
Dette produkt er til generel brug og velegnet til mange forskellige opgaver.