onsemi MOSFET, MOSFET, 6.5 A, 8 Ben 22 V, SOIC

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 10.725,00

(ekskl. moms)

Kr. 13.406,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 10,725Kr. 10.725,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
244-9147
Producentens varenummer:
NCD57091CDWR2G
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Udgangsstrøm

6.5A

Benantal

8

Emballagetype

SOIC

Faldtid

13ns

Driver-type

MOSFET

Stigetid

12ns

Forsyningsspænding min.

22V

Forsyningsspænding maks.

22V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Serie

NCD57

Bilindustristandarder

Nej

ON Semiconductor-gatedriveren er isolerede to-kanals gatedrivere med en 4,5-A/9-A-kilde og en Peak-strøm til vask. De er designet til hurtigt skift til drive power MOSFET'er og SiC MOSFET-effektkontakter. NCP51561 giver korte og matchede overførselsforsinkelser. To uafhængige og 5 kV rms intern galvanisk isolation fra indgang til hver udgang og intern funktionel isolation mellem de to udgangsdrivere tillader en arbejdsspænding på op til 1500 V dc. Denne driver kan bruges i alle mulige konfigurationer af to lav side, to høj-side-kontakter eller en halvbro-driver med programmerbar dødtid. En ENA/DIS-pin lukker begge udgange samtidigt, når den indstilles lav eller høj for HENHOLDSVIS AKTIVERING eller DEAKTIVERING. NCP51561 har andre vigtige beskyttelsesfunktioner som f.eks. uafhængig underspændingsspærring til både gate-drivere og funktion til justering af dødtid.

4,5 A Peak-kilde, 9 A Peak sink-udgangsstrøm

Fleksibel: Dobbelt lav side, dobbelt høj- eller halvbro-gatedriver

Uafhængig UVLO-beskyttelse til begge udgangsdrivere

Udgangsspænding fra 6,5 V til 30 V med 5 V og 8 V til MOSFET, 13 V og 17 V UVLO til SiC, tærskler.

Common-mode transient-immunitet CMTI > 200 V/ns

Forbredelsesforsinkelse typisk 36 ns med 5 ns maks. forsinkelsestilpasning pr. kanal og 5 ns maks. impulsbreddeforvrængning

Brugerprogrammerbar indgangslogik enkelt- eller dobbeltindgange via ANB og AKTIVERING eller DEAKTIVERING af tilstand

Brugerprogrammerbar dødtid

Relaterede links