onsemi NCV57090FDWR2G, MOSFET gate-driver, 6,5 A, 22V, 8 Ben, SOIC

ON Semiconductor NCV57090FDWR2G er en 1-kanals IGBT/MOSFET gate-drivere med høj strømstyrke med 5 kVARME intern galvanisk isolation, der er designet til høj systemeffektivitet og pålidelighed ved anvendelser med høj effekt. Enhederne accepterer komplementære indgange og tilbyder alt afhængigt af benkonfigurationen muligheder som f.eks. Active Miller Clamp til praktisk systemdesign. Den har et lavt spændingsfald i klemmen, der eliminerer behovet for negativ strømforsyning for at forhindre falsk gate-start. Driveren har plads til et bredt udvalg af indgangsbias-spænding og signalniveauer fra 3.3 V til 20 V, og de fås i SOIC-8-hus med bredt hus.

Den har høj Peak udgangsstrøm (+6,5 A/-6.5 A)
Det giver korte overførselsforsinkelser med nøjagtig matchning
Den har IGBT/MOSFET gate-fastspænding ved kortslutning