STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, Type N-Kanal Enkelt, 119 A 650 V, 3 Ben, TO-247 1 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 215-008
- Producentens varenummer:
- STGWA50M65DF2AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 875,16
(ekskl. moms)
Kr. 1.093,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 30. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | Kr. 29,172 | Kr. 875,16 |
| 150 - 270 | Kr. 28,441 | Kr. 853,23 |
| 300 + | Kr. 27,656 | Kr. 829,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-008
- Producentens varenummer:
- STGWA50M65DF2AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 119A | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Antal transistorer | 1 | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 576W | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Konfiguration | Enkelt | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 3 | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 15.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 20.1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 119A | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Antal transistorer 1 | ||
Effektafsættelse maks. Pd 576W | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Konfiguration Enkelt | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 3 | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 15.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 20.1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics IGBT er udviklet ved hjælp af en avanceret proprietær trinch gate fieldtop-struktur. Enheden er en del af M-serien af IGBT'er, som repræsenterer en optimal balance mellem invertersystemets ydeevne og effektivitet, hvor lavt tab og kortslutningsfunktionalitet er afgørende. Desuden resulterer den positive VCE(sat) temperaturkoefficient og den stramme parameterfordeling i sikrere parallel drift.
Minimeret strøm i halen
Stram parameterfordeling
Sikrere parallellisering
Relaterede links
- STMicroelectronics AEC-Q101 Type N-Kanal Enkelt 3 Ben, TO-247 1 Hulmontering
- STMicroelectronics AEC-Q101 87 A 650 V TO-247 LL 1 Hulmontering
- STMicroelectronics Type N-Kanal 650 V TO-247 Hulmontering
- Infineon AEC-Q101 74 A 650 V TO-247 Hulmontering
- Infineon AEC-Q101 80 A 650 V TO-247 Hulmontering
- Infineon AEC-Q100 IC til IGBT-enkelt transistor 80 A 650 V TO-247 Hulmontering
- STMicroelectronics Type N-Kanal Enkelt TO-247 1
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 1