STGWA50M65DF2AG, IGBT, N-Kanal, 119 A 650 V, 3 ben, TO-247 1

Se alle IGBT

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 827,07

(ekskl. moms)

Kr. 1.033,83

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 16. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 27,569Kr. 827,07

*Vejledende pris

RS-varenummer:
215-008
Producentens varenummer:
STGWA50M65DF2AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

119 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Antal transistorer

1

Effektafsættelse maks.

576 W

Kapslingstype

TO-247

Konfiguration

Single

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Benantal

3

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics IGBT er udviklet ved hjælp af en avanceret proprietær trench gate fieldstop-struktur. Enheden er en del af M-serien af IGBT'er, som repræsenterer en optimal balance mellem invertersystemets ydeevne og effektivitet, hvor lavt tab og kortslutningsfunktionalitet er afgørende. Desuden resulterer den positive VCE(sat)-temperaturkoefficient og den stramme parameterfordeling i en mere sikker paralleldrift.

Minimeret strøm i halen
Stram parameterfordeling
Mere sikker parallellægning

Relaterede links